Современные фотосенсоры, применяемые, к примеру, в цифровых камерах, являются интегральными микросхемами и делаются, как и любые другие кремниевые чипы, из одного блока начального материала. Новые детекторы, предложенные группой американских исследователей из института штата Калифорнии в г. Беркли, основаны на использовании сетки из нанопроводов, приобретенных способами осаждения из газовой фазы на поверхности подложки.
Приобретенные таким макаром нанопровода имеют длину порядка 0,1 мм и ширину в несколько нанометров. Нанопровода при получении очень спутаны, но в предстоящем процессе перенесения их на фактически всякую поверхность становятся более упорядоченными при помощи нанесенного на этой поверхности шаблона. Поверхность при всем этом может быть из самых различных материалов, прямо до пластмассы либо бумаги.
Для производства датчиков на поверхность поначалу наносят нанопровода из селенида кадмия, в каком появляются свободные заряды при попадании света, а потом нанопровода из германия, покрытого кремнием (этот слой играет роль усилителя). Калифорнийским исследователям удалось сделать макет фотосенсора с 260 пикселями, любой из которых состоял из 5 сенсорных и 1-го усилительного слоя. Около 80% пикселей оказались стопроцентно работоспособными. Управляющий группы д-р Али Джави (Ali Javey) считает, что при помощи предложенной технологии можно сделать детекторы метровых размеров, которые при всем этом будут гибкими.
Специалисты отмечают, что эта работа имеет большущее значение для развития электроники. Разработка не просит огромных издержек, и возникновение готовых товаров приведет к разработке целого ряда новых приложений, посреди которых сначала отмечается беспроводная связь. Группа д-ра Джави на данный момент разрабатывает другие составляющие, нужные для схожих приложений, а именно, нанобатареи, докладывает New Scientist.
ужс я даже не могу представить как это больно 