В Unisantis молвят, что заключили 2-летнее соглашение на совместную разработку новинок с сингапурским институтом микроэлектроники.
По данным разработчиков, благодаря новым транзисторам микропроцессоры сумеют работать на частотах 20-50 ГГц.
Как докладывает CyberSecurity, основная изюминка разработки кроется в использовании в транзисторах новейшей большой структуры, которая предугадывает наличие вертикальных затворов. Нынешние транзисторы используют горизонтально расположенные затворы. Официальное заглавие новейшей разработки Surrounding Gate Transistor.Разработки новых транзисторов возглавляет технический директор Unisantis Фуджио Масуока, являющийся одним из главных разработчиков обширно применяемой флеш-памяти.
По его словам, благодаря большой структуре, дистанция, которую нужно преодолеть электрону от 1-го затвора до другого значительно меньше, чем в имеющихся транзисторах, из-за этого и работают новинки значительно резвее. Не считая того, они вырабатывают меньше тепла и потребляют меньше электроэнергии.
"Surrounding Gate Transistor предугадывает и предстоящее ускорение работы, даже в этом случае, если транзисторы будут выполняться с внедрением кремния. С учетом темпов разработки, до того как будет достигнут физический предел этой технологии пройдет еще приблизительно 30 лет", - отметил Масуока.
ужс я даже не могу представить как это больно 